Durch eine kleine Spannung UBE wird die innere Potentialschwelle der Emitter-Diode herabgesetzt und Ladungsträger (e- beim NPN- und Löcher beim PNP- Transistor) werden vom Emitter her in den sehr schmalen Basisraum injiziert – die zum großen Teil vom Kollektor abgesaugt werden. Dazu muss dieser auf einem höheren (NPN) bzw. tieferen Potential liegen. Die Kollektor-Diode ist dabei in Sperrrichtung gepolt. Die auf sie einströmenden e- bzw. Löcher (PNP) sind von der Basis her gesehen Minoritätsträger und bilden beim Durchgang durch die Kollektor-Diode im Grunde einen Sperrstrom der durch die Spannung UBE gesteuert wird. Die nicht abgesaugten Ladungsträger bilden den Basisstrom. Die Voraussetzung für die Funktion des „Injektionstransistors“, wie der Bipolare-Transistor auch genannt wird, ist die enge Kopplung der Emitter- und der Kollektor-Diode über eine sehr schmale Basiszone (< 50 um). Dadurch kann die Saugwirkung des Kollektors nahezu den gesamten Basisraum erfassen, sofern die Spannung UCE ausreichend groß ist (UCE > 1 Volt) in anderen Worten: Wenn zwischen Basis und Emitter eine Spannung angelegt wird, fließt ein gewisser Basis-Emitter-Strom IB. Dieser bewirkt, dass die e- aus dem hoch dotierten Emitter in Richtung Basis emittiert werden. Da der Emitter sehr hoch dotiert ist, die Basis jedoch nur gering rekombinieren nur wenige e- in der Basis. Die restlichen e- werden vom Kollektor abgesaugt. Dadurch fließt ein Strom IC zwischen Kollektor und Emitter.
muss 30 seiten voll geschwafel like this bis dienstag lernen
glaub ich versuch mich wieder mal an der 50/50 technik, lerne nur 15 und hoffe drauf das ich verdammtes glück hab
