Es ist egal ob man New oder Oldfag ist auf das Benehmen kommt es an
Spreiz die BeineQuote:
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hab hunger auf reis...Quote:
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loQuote:
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deine mum?Quote:
pornfail ftwQuote:
muss 30 seiten voll geschwafel like this bis dienstag lernen :(Quote:
Durch eine kleine Spannung UBE wird die innere Potentialschwelle der Emitter-Diode herabgesetzt und Ladungsträger (e- beim NPN- und Löcher beim PNP- Transistor) werden vom Emitter her in den sehr schmalen Basisraum injiziert – die zum großen Teil vom Kollektor abgesaugt werden. Dazu muss dieser auf einem höheren (NPN) bzw. tieferen Potential liegen. Die Kollektor-Diode ist dabei in Sperrrichtung gepolt. Die auf sie einströmenden e- bzw. Löcher (PNP) sind von der Basis her gesehen Minoritätsträger und bilden beim Durchgang durch die Kollektor-Diode im Grunde einen Sperrstrom der durch die Spannung UBE gesteuert wird. Die nicht abgesaugten Ladungsträger bilden den Basisstrom. Die Voraussetzung für die Funktion des „Injektionstransistors“, wie der Bipolare-Transistor auch genannt wird, ist die enge Kopplung der Emitter- und der Kollektor-Diode über eine sehr schmale Basiszone (< 50 um). Dadurch kann die Saugwirkung des Kollektors nahezu den gesamten Basisraum erfassen, sofern die Spannung UCE ausreichend groß ist (UCE > 1 Volt) in anderen Worten: Wenn zwischen Basis und Emitter eine Spannung angelegt wird, fließt ein gewisser Basis-Emitter-Strom IB. Dieser bewirkt, dass die e- aus dem hoch dotierten Emitter in Richtung Basis emittiert werden. Da der Emitter sehr hoch dotiert ist, die Basis jedoch nur gering rekombinieren nur wenige e- in der Basis. Die restlichen e- werden vom Kollektor abgesaugt. Dadurch fließt ein Strom IC zwischen Kollektor und Emitter.